英特尔详细介绍了用于 HBM4 和 UCIe 的 EMIB

本周，英特于在电子元件技术大会 (ECTC) 上，尔详英特尔推出了 EMIB-T，细介这是绍用其嵌入式多芯片互连桥接封装的一项重要升级。EMIB-T 在 2025 年英特尔晶圆代工厂直连大会上首次亮相，英特于它将硅通孔 (TSV) 和高功率金属-绝缘体-金属电容器融入现有的尔详 EMIB 结构中。

英特尔院士兼基板封装开发副总裁 Rahul Manepalli 博士表示，这些改进可实现更可靠的绍用电源供应，并增强独立芯片组之间的英特于通信。传统的尔详 EMIB 设计由于采用悬臂式供电路径，存在电压降问题。细介相比之下，绍用EMIB-T 则通过 TSV 将电源从封装基板直接传输到每个芯片组连接点。英特于集成电容器可补偿快速电压波动并保持信号完整性。尔详

这一改进对于 HBM4 和 HBM4e 等下一代内存至关重要，细介因为预计通过 UCIe 接口，每引脚的数据速率将达到或超过 32 Gb/s。英特尔已确认，首批 EMIB-T 封装将达到目前约 0.25 皮焦耳/比特的能效，同时提供更高的互连密度。

该公司计划将凸块间距减小到目前 45 微米的标准以下。从 2026 年开始，英特尔打算生产尺寸为 120 x 120 毫米的基于 EMIB 的封装，大约是单个光罩尺寸的八倍。这些大型基板可以集成多达 12 个高带宽内存堆栈以及多个计算芯片，所有这些都通过 20 多个 EMIB 桥连接。

展望未来，英特尔预计到 2028 年将封装尺寸推至 120 x 180 毫米。这样的设计可以容纳超过 24 个内存堆栈、8 个计算芯片以及 38 个或更多 EMIB 桥。这些发展与台积电为其 CoWoS 技术宣布的类似计划非常相似。

除了EMIB-T之外，英特尔还展示了一种重新设计的散热器，可将热界面材料中的空隙减少约25％，以及一种新的热压粘合工艺，可最大限度地减少大型封装基板的翘曲。